一种半导体成像器件，包括：光检测区，其由第一导电类型的扩散区形成且形成在位于栅电极的第一侧的硅衬底的有源区中，从而使其顶部与硅衬底的表面分离，并且内缘部分侵入位于栅电极正下方的沟道区下方；屏蔽层，其由第二导电类型的扩散区形成且位于栅电极的第一侧的硅衬底的表面上，从而其内缘部分与位于第一侧的栅电极的侧壁表面对准；浮置扩散区，其形成在位于栅电极的第二侧的有源区中；以及沟道区，其形成在所述栅电极的正下方，其中沟道区包括：第一沟道区部分，其形成为与屏蔽层相邻；以及第二沟道区部分，其形成为与浮置扩散区相邻，其中第二沟道区部分含有杂质元素且浓度水平低于第一沟道区部分的杂质浓度水平。