半导体设备及其制造方法
公开
摘要
本申请涉及半导体设备及其制造方法。根据本公开的一个实施例的半导体设备，包括：导电区域、位于导电区域终止的部分处的末端区域，以及位于导电区域与末端区域之间的连接区域。导电区域包括：n+型衬底；n‑型层，该n‑型层位于n+型衬底的第一表面处；以及p型区域，该p型区域位于n‑型层上，以及栅电极，该栅电极填充穿透p型区域并位于n‑型层中的沟槽的内侧，并且位于导电区域终止的部分处的沟槽的侧壁是倾斜的。
基本信息
专利标题 ：
半导体设备及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582951A
申请号 ：
CN202111055745.4
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-09-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周洛龙
申请人 ：
现代自动车株式会社;起亚株式会社
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李静
优先权 ：
CN202111055745.4
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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