半导体设备以及其制造方法
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摘要
提出一种具有面式的阳极接触部(12)、面式的阴极接触部(14)、和由n型导电半导体材料制成的第一体积(16)的半导体设备(10)，所述第一体积具有阳极侧端部(16.1)和阴极侧端部(16.2)，并且所述第一体积在所述阳极接触部和所述阴极接触部之间延伸。至少一个p型导电区域(20)从所述第一体积的所述阳极侧端部(16.1)出发向所述第一体积的所述阴极侧端部延伸，而不到达所述阴极侧端部。所述半导体设备的特征在于，所述p型导电区域在横向于所述阳极接触部和所述阴极接触部的横截面中具有两个相互分开的部分区域(20.1，20.2；28.1，28.2)，所述部分区域限界所述第一体积的用n型导电半导体材料填充的第一部分体积(16.3)，其中，所述第一部分体积朝向所述阴极接触部敞开，所述开口(16.4)由所述部分区域(20.1，20.2；28.1，28.2)的阴极侧端部(20.3，20.4)限界，并且，所述两个部分区域(20.1
基本信息
专利标题 ：
半导体设备以及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107195691A
申请号 ：
CN201710153397.1
公开（公告）日 ：
2017-09-22
申请日 ：
2017-03-15
授权号 ：
CN107195691B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
A·格拉赫
申请人 ：
罗伯特·博世有限公司
申请人地址 ：
德国斯图加特
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
郭毅
优先权 ：
CN201710153397.1
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L21/329 H01L29/16
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2019-04-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/872
申请日 : 20170315
申请日 : 20170315
2017-09-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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