半导体设备和制造半导体设备的方法
实质审查的生效
摘要
本公开的各实施例涉及半导体设备和制造半导体设备的方法。一种半导体设备及其制造方法可以包括：堆叠，包括交替堆叠的导电层和绝缘层；分离绝缘结构，穿过所述堆叠并且包括线图案、从所述线图案突出到一侧的第一突出图案以及从所述线图案突出到另一侧的第二突出图案；第一通道结构，分别在所述分离绝缘结构的所述一侧处穿过所述堆叠并且包围所述第一突出图案；以及第二通道结构，分别在所述分离绝缘结构的所述另一侧处穿过所述堆叠并且包围所述第二突出图案。
基本信息
专利标题 ：
半导体设备和制造半导体设备的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464623A
申请号 ：
CN202110670110.9
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-06-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李炫虎
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
罗利娜
优先权 ：
CN202110670110.9
主分类号 ：
H01L27/11521
IPC分类号 ：
H01L27/11521 H01L27/11556 H01L27/11568 H01L27/11582 H01L27/24 H01L45/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11521
申请日 : 20210617
申请日 : 20210617
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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