半导体器件及其制造方法
授权
摘要
在制造半导体器件的方法中，在衬底的存储器单元区中形成由保护层覆盖的存储器单元结构。形成掩模图案。掩模图案具有位于第一电路区上方的开口，同时通过掩模图案覆盖存储器单元区和第二电路区。凹进第一电路区中的衬底，同时保护存储器单元区和第二电路区。在截面图中观察，在位于凹进的衬底上方的第一电路区中形成具有第一栅极介电层的第一场效应晶体管(FET)，并且在位于衬底上方的第二电路区中形成具有第二栅极介电层的第二FET。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109216364A
申请号 ：
CN201711349362.1
公开（公告）日 ：
2019-01-15
申请日 ：
2017-12-15
授权号 ：
CN109216364B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
刘振钦吴伟成吕宜宪王驭熊杨卓俐
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201711349362.1
主分类号 ：
H01L27/11521
IPC分类号 ：
H01L27/11521 H01L27/11526 H01L27/11531 H01L29/423
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2019-02-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11521
申请日 : 20171215
申请日 : 20171215
2019-01-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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