制造半导体器件的方法
公开
摘要
本公开涉及制造半导体器件的方法。在半导体衬底上形成绝缘膜GF1，并且在绝缘膜GF1上形成硅膜PS1。去除晶体管形成区1C中的硅膜PS1和绝缘膜GF1，并且留下晶体管形成区1B中的硅膜PS1和绝缘膜GF1。在晶体管形成区1C中的半导体衬底上形成绝缘膜GF2。在绝缘膜GF2和硅膜PS1上形成含Hf膜HA，并且在含Hf膜HA上形成硅膜PS2。然后，通过图案化硅膜PS2来形成栅极电极GE2，并且通过图案化硅膜PS1来形成栅极电极GE1。栅极电极GE下方的栅极绝缘膜TF1由绝缘膜GF1形成，并且栅极电极GE2下方的栅极绝缘膜TF2由绝缘膜GF2和含Hf膜HA形成。
基本信息
专利标题 ：
制造半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520190A
申请号 ：
CN202111338049.4
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2021-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
松本悟
申请人 ：
瑞萨电子株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
罗利娜
优先权 ：
CN202111338049.4
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/088 H01L27/11521 H01L27/11526 H01L27/11568 H01L27/11573
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
