半导体装置及其制造方法
公开
摘要
本申请涉及半导体装置及其制造方法。提供了一种半导体装置和制造该半导体装置的方法，该半导体装置包括第一源极层、第二源极层、部分地插置在第一源极层和第二源极层之间的第一绝缘钝化层以及位于第二源极层上的栅极结构。该半导体装置还包括穿过栅极结构、第二源极层和第一绝缘钝化层的源极接触结构。该源极接触结构联接到第一源极层。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628395A
申请号 ：
CN202110842761.1
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-07-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李起洪
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘久亮
优先权 ：
CN202110842761.1
主分类号 ：
H01L27/11521
IPC分类号 ：
H01L27/11521 H01L27/11556 H01L27/11568 H01L27/11582 H01L27/24 H01L45/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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