半导体装置和制造半导体装置的方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。本文可提供一种制造半导体装置的方法。该方法可包括：形成层叠结构，该层叠结构包括交替地层叠的多个第一材料层和多个第二材料层；形成第一开口，该第一开口包括穿过层叠结构的通孔以及联接到通孔并位于第一材料层和第二材料层的至少一个界面中的凹口；形成牺牲层，该牺牲层包括位于通孔中的第一部分和位于凹口中的第二部分；以及将牺牲层的第一部分氧化，从而形成位于通孔中的第一牺牲图案和位于凹口中的填塞图案。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置和制造半导体装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334803A
申请号 ：
CN202110493641.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-05-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李起洪
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘久亮
优先权 ：
CN202110493641.5
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/538 H01L27/11521 H01L27/11551 H01L27/11556 H01L27/11568 H01L27/11578 H01L27/11582 H01L27/24 H01L45/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20210507
申请日 : 20210507
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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