半导体装置及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明的目的是以低成本提供制造较高可靠性的存储器装置和半导体装置的技术，该半导体装置装配有存储器装置。本发明的半导体装置具有第一导电层，与第一导电层的侧端部接触的第一绝缘层，在第一导电层和第一绝缘层上提供的第二绝缘层，以及在第二绝缘层上提供的第二导电层。第二绝缘层是由绝缘材料形成的，且在绝缘材料流体化时对流体化物质的可润湿性比第一导电层的高。

基本信息

专利标题：

半导体装置及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101124677A

申请号：

CN200680004452.0

公开（公告）日：

2008-02-13

申请日：

2006-02-07

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

藤井严

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

秦晨

优先权：

CN200680004452.0

主分类号：

H01L27/10

IPC分类号：

H01L27/10 H01L21/768 H01L51/05 H01L23/522 H01L27/28