制造半导体装置的方法
公开
摘要
提供了一种制造半导体装置的方法。该方法包括：提供包括单元区域和围绕单元区域的核心/外围区域的衬底；在单元区域的衬底上形成下电极；在核心/外围区域的衬底上形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成第一导电类型的第一导电膜；在第一导电膜内部形成扩散阻挡膜，扩散阻挡膜在竖直方向上与栅极绝缘膜间隔开；在形成扩散阻挡膜之后，在第一导电膜内部形成包括杂质的杂质图案；通过热处理工艺扩散杂质以形成与第一导电类型不同的第二导电类型的第二导电膜；以及在第二导电膜上形成金属栅电极，其中，扩散阻挡膜包括氦(He)和氩(Ar)中的至少一种。
基本信息
专利标题 ：
制造半导体装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361162A
申请号 ：
CN202111158839.4
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安皓均金范洙
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵南
优先权 ：
CN202111158839.4
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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