半导体装置及半导体装置的制造方法
公开
摘要
提供一种适于高集成化的半导体装置。该半导体装置包括：衬底上的设置有包括氧化物半导体的第一晶体管的第一层；第一层上的第二层；第二层上的设置有包括氧化物半导体的第二晶体管的第三层；第一层与第二层间的第四层；以及第二层与第三层间的第五层，其中，第一层的总内部应力和第三层的总内部应力作用于第一方向上，第二层的总内部应力作用于与第一方向相反的方向上，并且，第四层及第五层包括具有阻挡性的层。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114424339A
申请号 ：
CN202080065554.3
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2020-09-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
太田将志安藤善范长塚修平越田树大下智方堂凉太津田一树铃木阳夫
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县厚木市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
何欣亭
优先权 ：
CN202080065554.3
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L27/108 H01L29/24 H01L21/34 H01L29/786 H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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