半导体装置的制造方法及半导体装置
专利权的终止
摘要
在本发明中，分开制作低泄漏晶体管和高性能晶体管的栅极绝缘膜。通过第一膜形成处理，在硅基板上形成第一SiON膜(步骤S1)。在低泄漏晶体管的形成区域保留该第一SiON膜，在高性能晶体管的形成区域除去该第一SiON膜(步骤S2)。而且，通过第二膜形成处理，在去除了第一SiON膜的区域上形成作为高性能晶体管的栅极绝缘膜的第二SiON膜，在保留有第一SiON膜的区域上形成包含所述第一SiON膜的第三SiON膜(步骤S3)。在第一膜形成处理中，以能够在进行第二膜形成处理时得到具有作为低泄漏晶体管的栅极绝缘膜所需的膜厚和N浓度的第三SiON膜的方式来形成第一SiON膜的膜厚和N浓度。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的制造方法及半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101361179A
申请号 ：
CN200680051049.3
公开（公告）日 ：
2009-02-04
申请日 ：
2006-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
南方浩志
申请人 ：
富士通株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁香兰
优先权 ：
CN200680051049.3
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/088
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2014-03-19 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101579933128
IPC(主分类) : H01L 21/8234
专利号 : ZL2006800510493
申请日 : 20060125
授权公告日 : 20120321
终止日期 : 20130125
号牌文件序号 : 101579933128
IPC(主分类) : H01L 21/8234
专利号 : ZL2006800510493
申请日 : 20060125
授权公告日 : 20120321
终止日期 : 20130125
2012-03-21 ：
授权
2009-04-08 ：
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 富士通株式会社
变更后权利人 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川县
变更后权利人 : 日本东京都
登记生效日 : 20090306
变更前权利人 : 富士通株式会社
变更后权利人 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川县
变更后权利人 : 日本东京都
登记生效日 : 20090306
2009-04-01 ：
实质审查的生效
2009-02-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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