半导体装置的制造方法
专利权的终止
摘要
一种半导体装置的制造方法，在同一半导体衬底上具有电容和MOS晶体管的半导体装置中，防止电容的绝缘破坏。在P型半导体衬底(1)的整个面上形成作为高耐压MOS晶体管的栅极绝缘膜的SiO2膜(11)。在覆盖高耐压MOS晶体管形成区域R1及与电容形成区域R4邻接的槽绝缘膜(7a、7b)边缘的SiO2膜(11a)的一部分上选择地形成光致抗蚀层(12)，并以该光致抗蚀层(12)为掩模，蚀刻除去SiO2膜(11)。在进行该蚀刻时，由于以光致抗蚀层(12)为掩模，故与电容邻接的槽绝缘膜(7a、7b)的边缘不会过度损伤。将该蚀刻时残留的SiO2膜(11a)和之后形成的SiO2膜作为电容绝缘膜。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825566A
申请号 ：
CN200610004866.5
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
藤岛达也福田干夫塚田雄二绪方敬士饭田伊豆雄
申请人 ：
三洋电机株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李贵亮
优先权 ：
CN200610004866.5
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2014-03-12 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101576521923
IPC(主分类) : H01L 21/8234
专利号 : ZL2006100048665
申请日 : 20060110
授权公告日 : 20090812
终止日期 : 20130110
号牌文件序号 : 101576521923
IPC(主分类) : H01L 21/8234
专利号 : ZL2006100048665
申请日 : 20060110
授权公告日 : 20090812
终止日期 : 20130110
2009-08-12 ：
授权
2008-03-05 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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