半导体装置及半导体装置的制造方法
专利权的终止
摘要
在半导体基板(11)上设置形成SOI结构的SOI形成区域(R1)及形成成块(bulk)结构的成块区域(R2)，在SOI形成区域(R1)中，将借助于绝缘层(13)以外延生长成膜的半导体层(14)形成在半导体基板(11)上，同时形成以露出半导体层(14)的侧壁而向半导体层(14)的侧壁延伸的方式配置的栅电极(17a)，在成块区域(R2)中，在半导体基板(11)上形成半导体层(15)，在半导体层(15)上配置栅电极(17b)。由此，不使用SOI基板而将SOI结构和成块(bulk)结构形成在同一个基板上，同时减少SOI晶体管的布局面积。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1941375A
申请号 ：
CN200610009564.7
公开（公告）日 ：
2007-04-04
申请日 ：
2006-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
加藤树理
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200610009564.7
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L21/8232
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2015-04-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101605320995
IPC(主分类) : H01L 27/088
专利号 : ZL2006100095647
申请日 : 20060224
授权公告日 : 20090715
终止日期 : 20140224
号牌文件序号 : 101605320995
IPC(主分类) : H01L 27/088
专利号 : ZL2006100095647
申请日 : 20060224
授权公告日 : 20090715
终止日期 : 20140224
2009-07-15 ：
授权
2007-05-30 ：
实质审查的生效
2007-04-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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