半导体装置及其制造方法
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摘要
本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括半导体基板、介电层、栅极结构、以及源极半导体特征和漏极半导体特征。半导体基板具有主动区域和围绕主动区域的浅沟槽隔离结构。半导体基板包括突起结构。突起结构位于主动区域中并具有位于主动区域的周边的底切。介电层覆盖半导体基板的突起结构，并填充突起结构的底切的至少一部分。栅极结构跨过突起结构。源极半导体特征和漏极半导体特征位于主动区域中，并位于栅极结构的相对两侧上。本发明的半导体装置的栅极结构具有良好的栅极控制能力，且有助于半导体装置表面的平坦化。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110164970A
申请号 ：
CN201810441815.1
公开（公告）日 ：
2019-08-23
申请日 ：
2018-05-10
授权号 ：
CN110164970B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
黄竞加吕增富廖伟明
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市泰山区南林路98号
代理机构 ：
北京中誉威圣知识产权代理有限公司
代理人 ：
席勇
优先权 ：
CN201810441815.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L27/108 H01L21/336
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2019-09-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20180510
申请日 : 20180510
2019-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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