半导体装置及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明的半导体装置的制造方法，在第2层间绝缘膜(14)内形成槽(42)后，形成覆盖槽(42)的侧面及底面的存储电极(16)。在存储电极(16)之上形成电容绝缘膜(17)；在电容绝缘膜(17)之上，通过反复进行400摄氏度以下的低温的CVD法使用氨的退火，从而形成TiOxNY膜(19)。在TiOxNY膜(19)上形成TiN膜(20)，再以TiOxNY膜(19)为掩模，对TiN膜(20)进行腐蚀。然后，除去露出的TiOxNY膜(19)，从而形成由TiOxNY膜(19)及TiN膜(20)构成的板式电极(25)。能抑制DRAM区和逻辑区之间的层间绝缘膜的阶差的发生，而且能够更正确地调整板式触点的深度。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1761062A
申请号 ：
CN200510108588.3
公开（公告）日 ：
2006-04-19
申请日 ：
2005-10-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中林隆新井秀幸大塚隆史矢野尚
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200510108588.3
主分类号 ：
H01L27/10
IPC分类号 ：
H01L27/10 H01L27/108 H01L21/8239 H01L21/8242 H01L21/3205 H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
法律状态
2008-07-02 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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