半导体装置及其制造方法
专利权的终止
摘要
彼特线绝缘膜形成后不大幅度扩散彼特线扩散层，充分确保连接部的面积，在该连接部抑制扩散层阻抗增大的同时，谋求存储单元的精细化。半导体装置，具有形成在半导体衬底(1)上部的，分别沿行的方向延伸的复数层彼特线扩散层(2)，在上述各彼特线扩散层(2)上分别形成的复数层彼特线绝缘膜(3)，在各彼特线扩散层(2)之间形成的复数层栅极绝缘膜(10)以及在各彼特线绝缘膜(3)及各栅极绝缘膜(3)交叉的复数条字线(4)。在半导体衬底(1)的上部，形成了具有与各彼特线扩散层(2)分别电连接的连接部(6a)的复数层连接扩散层(6)，在半导体衬底(1)中各连接部(6a)的上表面，比各连接扩散层(6)的上表面低。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1851922A
申请号 ：
CN200610051593.X
公开（公告）日 ：
2006-10-25
申请日 ：
2006-03-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高桥信义野吕文彦佐藤健治
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200610051593.X
主分类号 ：
H01L27/105
IPC分类号 ：
H01L27/105 H01L21/8239
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
法律状态
2015-04-29 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101607926421
IPC(主分类) : H01L 27/105
专利号 : ZL200610051593X
申请日 : 20060306
授权公告日 : 20110511
终止日期 : 20140306
号牌文件序号 : 101607926421
IPC(主分类) : H01L 27/105
专利号 : ZL200610051593X
申请日 : 20060306
授权公告日 : 20110511
终止日期 : 20140306
2011-05-11 ：
授权
2008-05-28 ：
实质审查的生效
2006-10-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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