半导体集成装置及其制造方法
授权
摘要
本申请公开了一种半导体集成装置及其制造方法，该半导体集成装置包括：第一半导体器件，包括：第一介电层；位于第一介电层内的间隔排布的第一导电通道和第一虚拟导电通道，第一导电通道和第一虚拟导电通道暴露于第一介电层的表面；第二半导体器件，包括：第二介电层；位于第二介电层内的第二导电通道，第二导电通道暴露于第二介电层的表面；第一介电层与第二介电层结合，第二导电通道与第一虚拟导电通道连接。该通半导体集成装置过在结合第一介电层与第二介电层时，直接利用导电通道与虚拟导电通道形成电容，从而简化了电容的制作工艺并降低了成本。
基本信息
专利标题 ：
半导体集成装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111180415A
申请号 ：
CN202010001959.2
公开（公告）日 ：
2020-05-19
申请日 ：
2020-01-02
授权号 ：
CN111180415B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
陈顺福刘威陈亮甘程
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡纯
优先权 ：
CN202010001959.2
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L21/768 H01L27/105
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2020-06-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20200102
申请日 : 20200102
2020-05-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN111180415A.PDF
PDF下载
