集成半导体器件及其制造方法
公开
摘要
一种集成半导体器件包含衬底、多个半导体电路层、绝缘材料以及互连层。这些半导体电路层配置在衬底上方。绝缘材料配置在半导体电路层上。互连层嵌入在绝缘材料中且电连接到半导体电路层中的一或多个。半导体电路层包含多个器件部分和一或多个隔离部分。隔离部分配置在器件部分之间，且隔离部分在相邻器件部分之间提供电隔离。互连层具有嵌入在器件部分上的绝缘材料中的多个电路。绝缘材料具有从器件部分上的电路的顶部表面升高的一或多个隔离结构。半导体电路层中的一些形成至少一个异质结。
基本信息
专利标题 ：
集成半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597173A
申请号 ：
CN202210214915.7
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-05-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曹凯张建平张雷姚卫刚周春华
申请人 ：
英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号
代理机构 ：
深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王琴
优先权 ：
CN202210214915.7
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/085 H01L29/778
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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