制造高集成度半导体器件的方法
专利权的终止
摘要
一种制造高集成度半导体存储器件的方法。在半导体衬底上形成第一导电层，于其上形成一第一图形。在已形成有第一图形的结构上形成第一材料层，并对其进行各向异性腐蚀以在第一图形侧面上形成分隔层。用分隔层作腐蚀掩模对第一导电层进行腐蚀后清除第一图形。在所得结构上形成第二导电层并对其进行各向异性腐蚀。清除分隔层以形成电容器的存储电极。相邻电容器之间的距离可小于光刻工艺所限定的值，从而可使电容器的面积尽可能大。
基本信息
专利标题 ：
制造高集成度半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1098821A
申请号 ：
CN94104480.7
公开（公告）日 ：
1995-02-15
申请日 ：
1994-04-08
授权号 ：
CN1050695C
授权日 ：
2000-03-22
发明人 ：
安太赫南仁浩尹宙永
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN94104480.7
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2010-08-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101004442169
IPC(主分类) : H01L 21/8242
专利号 : ZL941044807
申请日 : 19940408
授权公告日 : 20000322
号牌文件序号 : 101004442169
IPC(主分类) : H01L 21/8242
专利号 : ZL941044807
申请日 : 19940408
授权公告日 : 20000322
2000-03-22 ：
授权
1996-06-26 ：
实质审查请求的生效
1995-02-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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