半导体装置及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明的半导体装置具有：存储部(100)，其形成在半导体基板(51)上，具有第1晶体管及绝缘分离该第1晶体管的第1STI区域(52)，该第1晶体管具有在半导体基板(51)与存储部电极(58)之间可积累电荷的ONO膜(56)；和CMOS部(200)，其形成在半导体基板(51)上，具有第2晶体管及绝缘分离该第2晶体管的第2STI区域(53)，该第2晶体管具有CMOS部电极(59)及栅绝缘膜(57)。第1STI区域(52)的上面的高度设定为与第2STI区域(53)的上面的高度相等或者比其低。因此，可以防止存储部中的扩散层电阻的增大，还可进一步防止在硅化扩散层的情况下产生的硅化细线电阻的增大以及接触器的接合边界的减小。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1763960A
申请号 ：
CN200510116453.1
公开（公告）日 ：
2006-04-26
申请日 ：
2005-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高桥信义岩本知士野吕文彦荒井雅利
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200510116453.1
主分类号 ：
H01L27/105
IPC分类号 ：
H01L27/105 H01L27/115 H01L21/8239 H01L21/8247
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
法律状态
2014-12-10 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101591311526
IPC(主分类) : H01L 27/105
专利号 : ZL2005101164531
申请日 : 20051021
授权公告日 : 20090819
终止日期 : 20131021
号牌文件序号 : 101591311526
IPC(主分类) : H01L 27/105
专利号 : ZL2005101164531
申请日 : 20051021
授权公告日 : 20090819
终止日期 : 20131021
2009-08-19 ：
授权
2007-11-21 ：
实质审查的生效
2006-04-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
