半导体装置及其制造方法
公开
摘要
本发明提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括一半导体基板、至少一半导体器件、一正面源极接点以及一背面接点金属层。半导体基板具有一基板通孔，所述半导体基板包括一高阻碳化硅外延层以及形成于高阻碳化硅外延层的第二表面的氮化镓外延层。半导体器件形成于氮化镓外延层。正面源极接点形成于氮化镓外延层的表面并覆盖半导体基板的基板通孔。背面接点金属层形成于半导体基板的基板通孔内，并与正面源极接点直接接触。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300431A
申请号 ：
CN202110977082.5
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-08-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
庄志远吴华特施英汝
申请人 ：
环球晶圆股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市科学工业园区工业东二路8号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
宋兴
优先权 ：
CN202110977082.5
主分类号 ：
H01L23/485
IPC分类号 ：
H01L23/485 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/482
由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的
H01L23/485
包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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