半导体装置及其制造方法
专利权的终止
摘要
一种具有贯通电极的半导体装置及其制造方法，谋求半导体装置的可靠性及成品率的提高。介由第一绝缘膜(11)形成在半导体衬底(10)上的焊盘电极(12)上形成高熔点金属层(13)。其次，在含焊盘电极(12)及高熔点金属层(13)上的半导体衬底(10)的表面上形成钝化层14，进而介由树脂层(15)形成支承体(16)。其次，蚀刻半导体衬底(10)，形成从半导体衬底(10)的背面到达焊盘电极(12)的通孔(17)。其次，介由第二绝缘膜(18)形成与在通孔17底部露出的焊盘电极(12)电连接的贯通电极(20)及配线层(21)。进而形成抗焊剂层(22)、导电端子(23)。最后，通过进行切割，将半导体衬底(10)切断分离成半导体芯片(10A)。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1779962A
申请号 ：
CN200510118100.5
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-10-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
龟山工次郎铃木彰梅本光雄
申请人 ：
三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李贵亮
优先权 ：
CN200510118100.5
主分类号 ：
H01L23/485
IPC分类号 ：
H01L23/485 H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/482
由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的
H01L23/485
包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头
法律状态
2021-10-12 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/485
申请日 : 20051025
授权公告日 : 20081022
终止日期 : 20201025
申请日 : 20051025
授权公告日 : 20081022
终止日期 : 20201025
2008-10-22 ：
授权
2007-10-10 ：
实质审查的生效
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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