半导体装置及其制造方法

专利权的终止

摘要

一种具有贯通电极的半导体装置及其制造方法，谋求半导体装置的可靠性及成品率的提高。蚀刻半导体衬底(10)，形成从半导体衬底(10)到达焊盘电极(12)的通孔(16)。在此，上述蚀刻按使通孔(16)底部的开口直径A比焊盘电极(12)的平面宽度C大这样的蚀刻条件进行。其次，在包括该通孔(16)的半导体衬底(10)的背面上形成在通孔(16)底部使焊盘电极(12)露出的第二绝缘膜(17)。然后，形成与在通孔(16)底部露出的焊盘电极(12)电连接的贯通电极(20)及配线层(21)。进而形成保护层(22)、导电端子(23)。最后，通过切割将半导体衬底(10)切断分离为半导体芯片(10A)。

基本信息

专利标题：

半导体装置及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1779961A

申请号：

CN200510118099.6

公开（公告）日：

2006-05-31

申请日：

2005-10-25

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

龟山工次郎铃木彰梅本光雄

申请人：

三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司

申请人地址：

日本大阪府

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李贵亮

优先权：

CN200510118099.6

主分类号：

H01L23/485

IPC分类号：

H01L23/485 H01L21/28

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/48

用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置

H01L23/482

由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的

H01L23/485

包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头

法律状态

2021-10-12 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/485
申请日 : 20051025
授权公告日 : 20081029
终止日期 : 20201025

2008-10-29 ：

授权

2007-10-10 ：

实质审查的生效

2006-05-31 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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