半导体装置及其制造方法

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摘要

一种半导体装置的制造方法，抑止半导体装置的腐蚀。本发明的半导体装置的制造方法具有如下工序，相对隔着第一绝缘膜(2)形成于半导体衬底(1)上的第一配线3，从上述半导体衬底背面蚀刻该半导体衬底(1)，形成使上述绝缘膜(2)露出的第一开口部(7)。其次，在对从上述第一开口(7)露出的上述绝缘膜(2)进行蚀刻而形成使上述第一配线(3)露出的第二开口(8)后，对上述半导体衬底(1)进行蚀刻，形成具有比上述第一开口(7)的开口直径宽的开口直径的第三开口(9)。然后，在介由上述第二及第三开口(8、9)在包含上述第一配线(3)的半导体衬底背面形成第二绝缘膜(10)后，对包覆上述第一配线(3)的第二绝缘膜(10)进行蚀刻。

基本信息

专利标题：

半导体装置及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1828883A

申请号：

CN200610004202.9

公开（公告）日：

2006-09-06

申请日：

2006-01-28

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

金森宽大塚茂树森田佑一铃木彰

申请人：

三洋电机株式会社

申请人地址：

日本大阪府

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李贵亮

优先权：

CN200610004202.9

主分类号：

H01L23/522

IPC分类号：

H01L23/522 H01L23/485 H01L21/768 H01L21/60