半导体装置及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明的目的是降低半导体器件的互连结构中的绝缘膜的介电常数，并且确保稳定的制作。半导体器件(100)包括如下互连结构，其中包括：由含铜金属制成的第一互连(108)；覆盖第一互连(108)的上部的第一Cu硅化物层(111)；位于Cu硅化物层(111)的上部上且连接到第一互连(108)的导电的第一栓塞(114)；覆盖第一栓塞(114)的上部的Cu硅化物层(117)；第一多孔MSQ膜(105)，其位于从第一互连(108)的侧壁到第一栓塞(114)的侧壁上，且形成为覆盖第一互连(108)的侧壁、第一互连(108)的上部和第一栓塞(114)的侧壁；以及第一SiCN膜103，其位于第一多孔MSQ膜(105)之下，以与第一互连(108)的侧壁的下部接触并且具有比第一多孔MSQ膜(105)更大的膜密度。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101335257A
申请号 ：
CN200810128914.0
公开（公告）日 ：
2008-12-31
申请日 ：
2006-03-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宇佐美达矢
申请人 ：
恩益禧电子股份有限公司
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
谷惠敏
优先权 ：
CN200810128914.0
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L23/532 H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2020-03-10 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20060313
授权公告日 : 20120808
终止日期 : 20190313
申请日 : 20060313
授权公告日 : 20120808
终止日期 : 20190313
2017-12-22 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 23/522
变更事项 : 专利权人
变更前 : 瑞萨电子株式会社
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本东京
变更事项 : 专利权人
变更前 : 瑞萨电子株式会社
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本东京
2012-08-08 ：
授权
2011-01-05 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101058406857
IPC(主分类) : H01L 23/522
专利申请号 : 2008101289140
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后权利人 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川
变更后权利人 : 日本神奈川
登记生效日 : 20101124
号牌文件序号 : 101058406857
IPC(主分类) : H01L 23/522
专利申请号 : 2008101289140
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后权利人 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川
变更后权利人 : 日本神奈川
登记生效日 : 20101124
2009-02-25 ：
实质审查的生效
2008-12-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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