半导体装置及其制造方法
授权
摘要
本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，其提供在介电层中具有独特阻障层的开口。在一实施例中，该开口包括介层窗与沟槽，而阻障层为一层或多层阻障层。在该开口侧壁上，该一层或多层阻障层沿大约沟槽底部与介电层顶部的中心位置的厚度与其沿沟槽底部的厚度的比例大于0.55。在另一实施例中，该开口侧壁上，该一层或多层阻障层沿大约沟槽底部与介电层顶部的中心位置的厚度与其沿介层窗底部的厚度的比例大于1.0。位于下方的导电层可形成凹陷区。根据本发明的半导体装置，其中的阻障层能避免或减少金属物质沿介层窗侧壁扩散及降低介层窗与下层导电物质间接触电阻。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828884A
申请号 ：
CN200610006255.4
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
余振华潘兴强眭晓林谢静华黄震麟李显铭林俊成
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹市
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
王玉双
优先权 ：
CN200610006255.4
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2008-10-29 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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