半导体装置及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
提供一种半导体装置及其制造方法。在层间绝缘膜(1)之上形成蚀刻阻止膜(2)。在蚀刻阻止膜(2)之上形成导电层(3)。以覆盖导电层(3)的方式形成蚀刻阻止膜(4)。在蚀刻阻止膜(4)之上形成层间绝缘膜(5)。在上述结构中，首先，在第一蚀刻条件下形成从上下贯通层间绝缘膜(5)、露出蚀刻阻止膜(4)的表面的孔。然后在第二蚀刻条件下除去构成该孔底面的蚀刻阻止膜(4)，形成到达导电层(3)的孔。在孔中埋入连接布线(8)。由此可以防止到达导电层的孔因对准偏差到达下侧的层间绝缘膜的问题。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101546748A
申请号 ：
CN200910139117.7
公开（公告）日 ：
2009-09-30
申请日 ：
2005-09-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
上杉胜洋片山克生酒井克尚
申请人 ：
株式会社瑞萨科技
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
金春实
优先权 ：
CN200910139117.7
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L21/768 H01L21/311
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2011-03-23 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101077080754
IPC(主分类) : H01L 23/522
专利申请号 : 2009101391177
公开日 : 20090930
号牌文件序号 : 101077080754
IPC(主分类) : H01L 23/522
专利申请号 : 2009101391177
公开日 : 20090930
2009-11-25 ：
实质审查的生效
2009-09-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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