半导体装置及其制造方法
专利权的终止
摘要
提供一种半导体装置及其制造方法。在层间绝缘膜(1)之上形成蚀刻阻止膜(2)。在蚀刻阻止膜(2)之上形成导电层(3)。以覆盖导电层(3)的方式形成蚀刻阻止膜(4)。在蚀刻阻止膜(4)之上形成层间绝缘膜(5)。在上述结构中，首先，在第一蚀刻条件下形成从上下贯通层间绝缘膜(5)、露出蚀刻阻止膜(4)的表面的孔。然后在第二蚀刻条件下除去构成该孔底面的蚀刻阻止膜(4)，形成到达导电层(3)的孔。在孔中埋入连接布线(8)。由此可以防止到达导电层的孔因对准偏差到达下侧的层间绝缘膜的问题。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1758425A
申请号 ：
CN200510106376.1
公开（公告）日 ：
2006-04-12
申请日 ：
2005-09-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
上杉胜洋片山克生酒井克尚
申请人 ：
株式会社瑞萨科技
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
岳耀锋
优先权 ：
CN200510106376.1
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2014-11-12 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101588383499
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2005101063761
申请日 : 20050922
授权公告日 : 20090610
终止日期 : 20130922
号牌文件序号 : 101588383499
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2005101063761
申请日 : 20050922
授权公告日 : 20090610
终止日期 : 20130922
2010-11-03 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101036988006
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2005101063761
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川
号牌文件序号 : 101036988006
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2005101063761
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川
2010-11-03 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101036988005
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2005101063761
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社瑞萨科技
变更后权利人 : 恩益禧电子股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 日本神奈川
登记生效日 : 20100917
号牌文件序号 : 101036988005
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2005101063761
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社瑞萨科技
变更后权利人 : 恩益禧电子股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 日本神奈川
登记生效日 : 20100917
2009-06-10 ：
授权
2007-11-28 ：
实质审查的生效
2006-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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