半导体装置与其制造方法
公开
摘要
一种半导体装置与其制造方法，半导体装置可包括一源极，此源极位于一栅极的一第一侧上。半导体装置可包括一漏极，此漏极位于栅极的一第二侧上，其中栅极的第二侧相对于栅极的第一侧。半导体装置可包括位于源极上方的一第一触点。半导体装置可包括位于漏极上方的一第二触点。半导体装置可包括位于栅极上方的一气隙，其中栅极位于至少第一触点与第二触点之间。半导体装置可包括至少两个介电材料，位于气隙与第一触点之间的一区域以及气隙与第二触点之间的一区域的各者中。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置与其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464664A
申请号 ：
CN202110400179.X
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-04-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
辛格·古尔巴格蔡宗翰许世禄庄坤苍
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202110400179.X
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L23/538 H01L29/78 H01L21/764 H01L21/768 H01L21/336
法律状态
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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