半导体装置的制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种半导体装置的制造方法,包括以下步骤:形成第1导电层;在上述第1导电层上形成第1绝缘层;在上述第1绝缘层上形成第2绝缘层;在上述第1绝缘层和上述第2绝缘层中形成到达上述第1导电层的第1开口部分;在上述第2绝缘层上形成对包含导电材料的组成物的可湿性低于上述第2绝缘层的掩模层;在上述第2绝缘层中形成比上述第1开口部分宽的第2开口部分;用含有导电材料的组成物填充上述第1和第2开口部分以形成第2导电层。
基本信息
专利标题 :
半导体装置的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1797740A
申请号 :
CN200510129027.1
公开(公告)日 :
2006-07-05
申请日 :
2005-11-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
藤井严山崎舜平
申请人 :
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 :
日本神奈川
代理机构 :
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 :
王以平
优先权 :
CN200510129027.1
主分类号 :
H01L21/768
IPC分类号 :
H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2018-11-23 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20051130
授权公告日 : 20090527
终止日期 : 20171130
申请日 : 20051130
授权公告日 : 20090527
终止日期 : 20171130
2009-05-27 :
授权
2008-01-23 :
实质审查的生效
2006-07-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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