半导体装置的制造方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：形成第1导电层；在上述第1导电层上形成第1绝缘层；在上述第1绝缘层上形成第2绝缘层；在上述第1绝缘层和上述第2绝缘层中形成到达上述第1导电层的第1开口部分；在上述第2绝缘层上形成对包含导电材料的组成物的可湿性低于上述第2绝缘层的掩模层；在上述第2绝缘层中形成比上述第1开口部分宽的第2开口部分；用含有导电材料的组成物填充上述第1和第2开口部分以形成第2导电层。

基本信息

专利标题：

半导体装置的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1797740A

申请号：

CN200510129027.1

公开（公告）日：

2006-07-05

申请日：

2005-11-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

藤井严山崎舜平

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

优先权：

CN200510129027.1

主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L21/768