半导体装置及其制造方法

专利权的视为放弃

摘要

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。目的在于：在具有被低介电常数膜覆盖的金属布线的半导体装置中，能够提高防止来自金属布线的扩散的金属扩散防止膜、和低介电常数膜之间的界面的粘附性，实现低介电常数膜和金属扩散防止膜难以脱离的可靠性较高的半导体装置。在衬底上依次形成有第1绝缘膜21、第2绝缘膜23A、第3绝缘膜23B、由SiOC构成的第4绝缘膜24和第5绝缘膜25。第2绝缘膜23A为与氧相比氮原子百分率的值较高的SiOCN膜，第3绝缘膜23B为与氮相比氧原子百分率的值较高的SiOCN膜。在第3绝缘膜23B的上面，形成有氧对于硅的组成比与第3绝缘膜23B的底面相比，高5％或5％以上的表面层23a。

基本信息

专利标题：

半导体装置及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1819181A

申请号：

CN200610006224.9

公开（公告）日：

2006-08-16

申请日：

2006-01-24

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

筒江诚后藤欣哉

申请人：

松下电器产业株式会社;株式会社瑞萨科技

申请人地址：

日本大阪府

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

优先权：

CN200610006224.9

主分类号：

H01L23/532

IPC分类号：

H01L23/532 H01L21/768