半导体装置和制造半导体装置的方法
公开
摘要
本公开涉及一种半导体装置和制造半导体装置的方法。一种制造半导体装置的方法可以包括以下步骤：形成具有交替层叠的第一材料层和第二材料层的层叠物，形成穿过层叠物的第一开口，在第一开口中形成阻挡层，在阻挡层中形成数据储存层，形成穿过层叠物的狭缝，通过经由狭缝选择性地去除第二材料层来形成第二开口，选择性地在第一材料层的暴露的表面上形成保护层，通过第二开口蚀刻阻挡层，氧化保护层以及在第二开口中形成绝缘层。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置和制造半导体装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582877A
申请号 ：
CN202110796845.6
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-07-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔康植
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘久亮
优先权 ：
CN202110796845.6
主分类号 ：
H01L27/11521
IPC分类号 ：
H01L27/11521 H01L27/11551 H01L27/11568 H01L27/11578 H01L27/24
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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