加热结构及半导体处理装置
授权
摘要
本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种加热结构及半导体处理装置。所述加热结构包括：管道，用于传输经压缩的干燥气体；空气放大器，与所述管道的输出端连通，用于将经压缩的所述干燥气体放大；加热器，与所述空气放大器连接，用于将经放大的所述干燥气体加热后传输至待加热物体的表面。本实用新型避免了对半导体处理装置内部结构的损伤，进而在确保半导体制程顺利进行的同时，也提高了半导体处理装置的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
加热结构及半导体处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921360343.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-20
授权号 ：
CN210272273U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
于海涛
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201921360343.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/3065 F24H3/02 F26B21/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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