半导体处理装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种半导体处理装置，其包括：第一腔室部；可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室，半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，所述半导体晶圆能够被取出或放入；检测装置，其在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，发出检测光线至第二腔室部的面向所述微腔室的表面，并接收被反射回的检测光线，根据反射回的检测光线的光通量确定第二腔室部上是否有半导体晶圆。这样，可以实现微腔室内是否有所述半导体晶圆的自动检测。
基本信息
专利标题 ：
半导体处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123024650.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-02
授权号 ：
CN216698287U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
樊裕斌
申请人 ：
无锡华瑛微电子技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新区震泽路18号国家软件园3期鲸鱼座A栋1楼
代理机构 ：
苏州简理知识产权代理有限公司
代理人 ：
庞聪雅
优先权 ：
CN202123024650.4
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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