半导体处理装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种半导体处理装置，包括净化区域和设置于所述净化区域侧边的晶圆暂存区，所述净化区域包括进气装置和排气装置，所述晶圆暂存区包括排气端、压力监测装置及气体控制装置；所述压力监测装置设置在所述排气端，用于检测所述排气端的排气压力；所述气体控制装置连接所述晶圆暂存区，并与所述压力监测装置通信连接，用于根据所述压力监测装置的信号控制输入所述晶圆暂存区的气体。上述的半导体处理装置，使得气体的流动能够带走晶圆表面残留的气体，从而能够防止晶圆暂存区的晶圆发生凝结现象。
基本信息
专利标题 ：
半导体处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921677451.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-09
授权号 ：
CN211404456U
授权日 ：
2020-09-01
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
虞凌霄
优先权 ：
CN201921677451.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/677
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-09-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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