半导体处理系统部件
授权
摘要
公开了半导体处理系统部件。示例性的半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与所述处理腔室耦接的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括耦接在所述远程等离子体单元和所述处理腔室之间的混合歧管。所述混合歧管可以由第一端部和与所述第一端部相对的第二端部表征，并且可以在所述第二端部处与所述处理腔室耦接。所述混合歧管可以限定穿过所述混合歧管的中央通道，并且可以沿着所述混合歧管的外部限定端口。所述端口可以与限定在所述混合歧管的所述第一端部内的第一沟槽流体耦接。所述第一沟槽可以由在第一内侧壁处的内半径和外半径表征，并且所述第一沟槽可以提供通过所述第一内侧壁到所述中央通道的流体通路。
基本信息
专利标题 ：
半导体处理系统部件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020155055.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-09
授权号 ：
CN212277152U
授权日 ：
2021-01-01
发明人 ：
M·T·萨米尔D·杨
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
汪骏飞
优先权 ：
CN202020155055.0
主分类号 ：
H01J37/30
IPC分类号 ：
H01J37/30 H01J37/305 H01J37/32 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/30
物体局部处理用的电子束管或离子束管
法律状态
2021-01-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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