具有接触装置的功率半导体部件

授权

摘要

本实用新型提出一种具有接触装置的功率半导体部件，在其具有法线方向的第一主侧上具有负载端子表面和带有控制端子表面边界的控制端子表面，接触装置为有第一和第二导电层以及介于之间的第一电绝缘层的叠层，第一导电层具有第一负载传导层和第一控制传导层，前者导电连接到负载端子表面，后者导电连接到控制端子表面，第二导电层具有第二负载传导层和第二控制传导层，第二控制传导层具有在法线方向上与控制端子表面对齐的第一部分、其控制传导子层边界在法线方向上的投影中相对于控制端子表面边界横向偏移的第二部分和连接第一和第二部分的第三部分，第一绝缘层具有在第一和第二负载传导层之间的第一导孔和在第一和第二控制传导层之间的第二导孔。

基本信息

专利标题：

具有接触装置的功率半导体部件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020748075.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-05-07

授权号：

CN212113702U

授权日：

2020-12-08

发明人：

C·戈贝尔N·科尔布

申请人：

赛米控电子股份有限公司

申请人地址：

德国纽伦堡

代理机构：

重庆西联律师事务所

代理人：

唐超尘

优先权：

CN202020748075.9

主分类号：

H01L23/48

IPC分类号：

H01L23/48 H01L23/482 H01L23/485