功率半导体装置
授权
摘要
本发明涉及一种功率半导体装置，所述功率半导体装置包括基板，所述基板具有第一导电接触区和第二导电接触区并且功率半导体部件被布置在所述基板上并且与所述基板导电连接，并且所述功率半导体装置包括电容器，为了所述电容器的电连接，所述电容器具有导电的第一电容器连接元件和导电的第二电容器连接元件，其中，所述电容器连接元件与所述基板导电地压力接触连接。本发明提供了一种功率半导体装置，该功率半导体装置的电容器可靠地与所述功率半导体装置的基板导电连接。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107393892A
申请号 ：
CN201710173254.7
公开（公告）日 ：
2017-11-24
申请日 ：
2017-03-22
授权号 ：
CN107393892B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
托马斯·弗兰克克里斯蒂安·沃尔特斯特凡·魏斯托马斯·齐格勒
申请人 ：
赛米控电子股份有限公司
申请人地址 ：
德国纽伦堡
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
穆森
优先权 ：
CN201710173254.7
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L25/10 H01L23/64
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2019-03-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/48
申请日 : 20170322
申请日 : 20170322
2017-11-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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