功率半导体装置
发明专利申请公布后的驳回
摘要

本发明提供一种抑制电涌的功率半导体装置。在功率半导体装置中,具备:串联连接的1对高压侧以及低压侧的功率开关半导体元件、反向连接在各功率开关半导体元件上的飞轮二极管、以及按每个功率开关半导体元件进行配置并基于输入信号向该功率开关半导体元件的栅极提供驱动信号的栅极驱动电路,并且,为抑制电涌的影响,例如在低压侧的栅极驱动电路和向该栅极驱动电路提供电源电压的控制电源电路之间插入二极管。或在栅极驱动电路和用于提供输入信号的输入端子之间插入二极管。

基本信息
专利标题 :
功率半导体装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1773858A
申请号 :
CN200510119449.0
公开(公告)日 :
2006-05-17
申请日 :
2005-11-10
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
岩上彻白川真也
申请人 :
三菱电机株式会社
申请人地址 :
日本东京
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
浦柏明
优先权 :
CN200510119449.0
主分类号 :
H03K17/08
IPC分类号 :
H03K17/08  
法律状态
2013-05-15 :
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101589603989
IPC(主分类) : H03K 17/08
专利申请号 : 2005101194490
申请公布日 : 20060517
2006-07-12 :
实质审查的生效
2006-05-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332