功率半导体装置
授权
摘要
本发明公开了一种功率半导体装置，其包括：第一功率半导体模块和第二功率半导体模块，其中每个功率半导体模块包括第一主侧和相对的第二主侧，并且其中，所述功率半导体模块被布置为使得所述第一功率半导体模块的主侧和所述第二功率半导体模块的主侧彼此面对；以及用于对所述功率半导体模块进行直接液体冷却的冷却器壳体，该冷却器壳体包括流体通道，其中，所述第一功率半导体模块的至少一个主侧形成所述流体通道的侧壁，并且其中，所述流体通道中沿所述第一功率半导体模块的第一主侧的流动方向和沿所述第一功率半导体模块的第二主侧的流动方向被定向在相反的方向上。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020204770.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-25
授权号 ：
CN213692016U
授权日 ：
2021-07-13
发明人 ：
J·赫格尔T·卡切夫斯基M·舍费尔C·施魏克特
申请人 ：
英飞凌科技股份有限公司
申请人地址 ：
德国瑙伊比贝尔格市
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
邬少俊
优先权 ：
CN202020204770.9
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/473
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2021-07-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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