功率半导体组件
授权
摘要
一种功率半导体组件，包括导电片、金氧半导体芯片、封装层、至少一第一导电插塞与汲极接触垫。其中，导电片具有芯片放置区与周围区，周围区是连接芯片放置区。金氧半导体芯片是放置于芯片放置区。此金氧半导体芯片包括闸极区、源极区与汲极区，闸极区与源极区是位于金氧半导体芯片的上表面，汲极区是位于金氧半导体芯片的下表面且连接芯片放置区。封装层是包覆金氧半导体芯片与导电片。第一导电插塞是贯穿封装层且连接周围区。汲极接触垫是设置于封装层的上表面且连接第一导电插塞。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020182422.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-19
授权号 ：
CN211507621U
授权日 ：
2020-09-15
发明人 ：
涂高维
申请人 ：
力士科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市五股区中兴路一段10号9楼之1
代理机构 ：
北京汉德知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
钱莺勤
优先权 ：
CN202020182422.6
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L23/367 H01L23/31
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2020-09-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN211507621U.PDF
PDF下载
