功率金氧半导体组件

授权

摘要

本发明提供一种功率金氧半导体组件，包含一漏极、一设置于该漏极上的基体，其具有一基体顶表面、内嵌于基体中之一源极，其从基体顶表面向下延伸至基体中、一栅极沟槽，其穿过源极及基体并延伸至漏极中，在栅极沟槽中设置有一栅极、连接沟槽的一源极基体，其具有一沟槽壁及沿着沟槽壁设置的一反穿透植入区域。一种制造半导体装置的方法，包括在基板上形成一具有顶层基本表面之硬屏蔽，在基板内形成一栅极沟槽，而在栅极沟槽中穿过硬屏蔽沉积有栅极材料，将硬屏蔽移除留下一栅极结构，形成一源极基体，其连接具有沟槽壁之沟槽，并形成一反穿透植入区域。

基本信息

专利标题：

功率金氧半导体组件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101107718A

申请号：

CN200680003301.3

公开（公告）日：

2008-01-16

申请日：

2006-02-10

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

安荷·叭剌

申请人：

万国半导体股份有限公司

申请人地址：

百慕大哈密尔敦

代理机构：

上海新天专利代理有限公司

代理人：

王敏杰

优先权：

CN200680003301.3

主分类号：

H01L29/94

IPC分类号：

H01L29/94