低栅容金氧半导体二极管
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摘要
一种低栅容金氧半导体二极管，包括一基板，其包括一高掺杂浓度N型硅基板及一位于该高掺杂浓度N型硅基板上方的低掺杂浓度N型外延层；一掩膜层位于该低掺杂浓度N型外延层上方；该低掺杂浓度N型外延层的上部形成一凹槽；该掩膜层具有一第一穿孔及至少一第二穿孔；该第一穿孔与该凹槽整体形成一沟槽围绕在该低栅容金氧半导体二极管的四周形成正方形结构；一氧化层位在该凹槽内侧壁及底部；该低掺杂浓度N型外延层位于各第二穿孔的底部下方具有一P型层用于形成长条形的P井而包封在该正方形结构内侧；各第二穿孔的底部周缘具有一栅极氧化层；该氧化层及该第一穿孔的内侧壁上及各第二穿孔的内侧壁上有一栅极结构。
基本信息
专利标题 ：
低栅容金氧半导体二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021065821.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-10
授权号 ：
CN212257407U
授权日 ：
2020-12-29
发明人 ：
费龙庆张崇健
申请人 ：
奈沛米(上海)半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区泥城镇云汉路979号2楼
代理机构 ：
北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何晖
优先权 ：
CN202021065821.0
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L29/06 H01L29/423
法律状态
2020-12-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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