二极管、半导体结构、栅控二极管和MOS晶体管
授权
摘要
本申请涉及二极管、半导体结构、栅控二极管和MOS晶体管。公开了一种具有减小的寄生电容的二极管。特别地，公开了用于提供RF电路对诸如ESD、电压尖峰、电涌或其他噪声之类的高功率噪声事件的快速响应保护的二极管。与现有技术相比，所公开的电路中的寄生电容大大减小，因此显著地增加了用于消散所有高功率噪声事件的响应的速度。
基本信息
专利标题 ：
二极管、半导体结构、栅控二极管和MOS晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921412850.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-28
授权号 ：
CN210866189U
授权日 ：
2020-06-26
发明人 ：
V·K·沙马
申请人 ：
意法半导体国际有限公司
申请人地址 ：
荷兰阿姆斯特丹
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
王茂华
优先权 ：
CN201921412850.7
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L29/41 H01L29/78
法律状态
2020-06-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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