光电二极管以及半导体结构
授权
摘要
本公开涉及一种光电二极管以及半导体结构，该光电二极管包括：第一部分，该第一部分由硅制成；以及第二部分，该第二部分由掺杂锗制成，位于该第一部分上并且与该第一部分接触，该第一部分包括形成p‑n结的第一区域和第二区域的堆叠，并且锗的掺杂水平随着与p‑n结相距的距离的增加而增加。
基本信息
专利标题 ：
光电二极管以及半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922278366.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-18
授权号 ：
CN211150577U
授权日 ：
2020-07-31
发明人 ：
Y·本哈穆D·格兰斯基D·里多
申请人 ：
意法半导体（克洛尔2）公司
申请人地址 ：
法国克洛尔
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN201922278366.6
主分类号 ：
H01L31/107
IPC分类号 ：
H01L31/107 H01L31/0352 H01L31/18
法律状态
2020-07-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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