一种半导体二极管安装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体二极管安装结构,具体涉及二极管技术领域,包括壳体,所述壳体内部设有二极管主体,所述二极管主体顶部以及底部分别设有第一横板与第二横板,所述第二横板与壳体固定连接,所述第二横板底部设有移动机构,所述移动机构包括第二转轴,所述第二转轴顶端与第二横板通过轴承活动连接。本实用新型通过转动把手从而带动第二转轴转动,进而带动第四锥齿轮转动,第四锥齿轮转动带动第三锥齿轮转动,从而带动第一转轴转动,进而带动第二锥齿轮转动,第二锥齿轮转动带动第一锥齿轮转动,从而带动螺纹杆转动,螺纹杆转动带动插块向下移动,插入相应的插槽内部,从而对壳体进行固定,操作简单,方便安装和拆卸,使用方便。
基本信息
专利标题 :
一种半导体二极管安装结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022408010.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-10-27
授权号 :
CN213150724U
授权日 :
2021-05-07
发明人 :
华国铭
申请人 :
苏州福摩斯电子有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市相城区黄埭镇太东路2996号1号厂房2楼西
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202022408010.2
主分类号 :
H01L21/52
IPC分类号 :
H01L21/52
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/52
半导体在容器中的安装
法律状态
2021-05-07 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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