半导体装置的制法、半导体装置的安装方法及安装结构
专利权的终止
摘要
本发明提供一种谋求提高半导体装置的生产率的半导体装置的制造方法。在保护膜(4)上，涂抹作为形成突起体(5)的感光性树脂的丙烯酸树脂来形成树脂层。在该树脂层上将具有开口部的掩模定位配置在规定的位置上，进而，通过在掩模上照射紫外线，使在开口部露出的树脂层的一部分曝光。通过紫外线固化树脂，形成上面为平面的圆柱形状突起体(5b)。接着，将紫外线(11)照射在突起体(5b)上，来加热突起体(5b)，使形成突起体(5b)的丙烯酸树脂熔解。由于在熔解的树脂上产生表面张力，所以平面的突起体(5b)的上面变形为光滑的曲面。因此，由突起体(5b)形成近似半球形状的突起体(5)。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的制法、半导体装置的安装方法及安装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1838383A
申请号 ：
CN200610068103.7
公开（公告）日 ：
2006-09-27
申请日 ：
2006-03-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田中秀一
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200610068103.7
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/50
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-03-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/28
申请日 : 20060321
授权公告日 : 20100324
终止日期 : 20210321
申请日 : 20060321
授权公告日 : 20100324
终止日期 : 20210321
2010-03-24 ：
授权
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
