半导体装置及其制法
专利权的终止
摘要

本发明公开一种半导体装置及其制法,该半导体装置包括:基板、接置于该基板上的传感芯片、用于电性连接该传感芯片及该基板的焊线、覆盖在该基板上未供接置该传感芯片的区域的绝缘层、设在该绝缘层上的粘着层以及接着在该粘着层上且覆盖住该传感芯片的透光盖体。本发明的半导体装置及其制法可提供一种具有轻薄短小特性的图像传感器封装件,在增加拦坝结构强度的同时,不减少后续与透光层的附着性,在拦坝结构与透光层间形成良好的粘着,不产生渗漏问题,在拦坝结构上接着透光层时,避免发生焊线损伤及断裂等问题,同时还避免形成拦坝结构时污染传感芯片的传感区。

基本信息
专利标题 :
半导体装置及其制法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101009229A
申请号 :
CN200610002725.X
公开(公告)日 :
2007-08-01
申请日 :
2006-01-25
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张正易黄建屏王愉博黄致明萧承旭
申请人 :
矽品精密工业股份有限公司
申请人地址 :
台湾省台中县
代理机构 :
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 :
程伟
优先权 :
CN200610002725.X
主分类号 :
H01L21/50
IPC分类号 :
H01L21/50  H01L27/146  H01L23/10  H01L23/24  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2011-03-30 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101061088484
IPC(主分类) : H01L 21/50
专利号 : ZL200610002725X
申请日 : 20060125
授权公告日 : 20090121
终止日期 : 20100225
2009-01-21 :
授权
2007-09-26 :
实质审查的生效
2007-08-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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