半导体堆栈结构及其制法
专利权的视为放弃
摘要
本发明提供一种半导体堆栈结构及其制法,该半导体堆栈结构的制法是在第一基板上接置半导体芯片及位于该半导体芯片周围的支撑件,且将一表面预设贴片的第二基板接置在该支撑件上,并通过焊线电性连接到该第一基板,接着进行封装模压作业,在该第一基板上形成包裹半导体芯片、焊线及第二基板的封装胶体,使该贴片顶部露出该封装胶体,随后移除该贴片露出该第二基板的第一表面,供电子元件接置其上。本发明可避免现有以焊球回焊方式电性连接第一及第二基板时造成半导体芯片污染问题,同时通过预设在第二基板上的贴片,还可避免现有堆栈结构在封装模压作业中使用特殊模具造成制程成本增加及溢胶污染第二基板等问题。
基本信息
专利标题 :
半导体堆栈结构及其制法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101017785A
申请号 :
CN200610007432.0
公开(公告)日 :
2007-08-15
申请日 :
2006-02-10
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
黄建屏黄致明普翰屏王愉博萧承旭
申请人 :
矽品精密工业股份有限公司
申请人地址 :
台湾省台中县
代理机构 :
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 :
程伟
优先权 :
CN200610007432.0
主分类号 :
H01L21/50
IPC分类号 :
H01L21/50 H01L21/56 H01L21/60 H01L25/00 H01L23/488 H01L23/31
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2010-02-17 :
专利权的视为放弃
2007-10-10 :
实质审查的生效
2007-08-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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